锗是除硅之外最重要的半导体材料。由锗材料深加工而成的砷化镓、磷化铟晶片是芯片的最基础材料。磷化铟（InP）是第二代化合物半导体材料，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点，在光子和射频领域拥有关键优势，是军事通信、雷达、辐射测量以及自动测试设备的首选。沪硅产业的300mm大硅片的单片价格约314元，而6英寸半绝缘砷化镓晶片价格在200美元，4英寸半绝缘磷化铟晶片售价高达1000美元，足见磷化铟和砷化镓晶圆等化合物半导体的价格远高于硅片。

  云南锗业与中国科学院半导体研究所成立“半导体研究所光电半导体材料联合实验室”，经过12年的努力，突破了锗、砷化镓、磷化铟晶片的核心关键技术。

  2020年12月10日，华为旗下的哈勃科技投资有限公司战略投资云南锗业控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司（以下简称“鑫耀半导体”），持股23.91%。鑫耀半导体主要从事半导体材料：砷化镓及磷化铟衬底（单晶片）的研发及生产。2019年8月，其试生产的6英寸砷化镓单晶片、4英寸磷化铟单晶片通过了华为海思现场核查验证，目前开始向客户供货，并由客户进行试用。

  云南锗业董事长包文东表示，在十四五期间，云南锗业将充分发挥企业丰富的锗资源储备及深加工技术优势，联合中科院、华为等战略合作伙伴，把云南锗业做成一流的光电、半导体新材料基地，做大产业链，不断开发新产品，向着半导体新材料千亿级市场迈进。